专利和证书
2021年
![벤쳐기업](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/벤쳐기업.jpg)
2021.04.16 第2021-11287号
京畿风险企业协会会员证
2020年
![2020-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-1-1.jpg)
2020.04.09 10-2020-0043280
使用大气压力等离子体的显示面板图案方法应用
![2020-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-2-1.jpg)
2020.04.09 10-2020-0043279
FMM的干洗装置和方法
![2020-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-3-1.jpg)
2020.05.11 ESC3721何
环境管理系统证书 │ ISO1400:2015
2019 年
![2019-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2019-1-1.jpg)
2019.04.10 20071181 号
公司附属研究所认可书(材料变更)
![2019-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2019-2-1.jpg)
2019.10.08 第10-2032294号专利
大气压力等离子体发生器
2018年
![2018-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2018-1-1.jpg)
2018.10.12 第R150601-01515号
技术创新型中小企业 确认书
![2018-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2018-2-1.jpg)
2018.04.30 CST253272/1
CE 证书 │ ILP-350S
2017年
![2017-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2017-1.jpg)
2017.11.30 第10-185740号 │ 专利证
可见大气压力等离子体发生器
2016年
![2016-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-3-1-1.jpg)
2016.01.29 第10-1591863号
专利证 │ 利用大气压力等离子体处理工艺对低温多硅基质表面平面化方法
![2016-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-1-1.jpg)
2016.06.01 第16场比赛第24期
出口有希望的中小企业指定证书
![2016-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-2-1.jpg)
2016.09.28 4787599910-1
CE 证书 │ILP-700C
2015年
![2015-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2015-1.jpg)
2015.07.13 登记号码:QSC2879
质量管理系统证书 | ISO9001: 2008
2014年
![2014-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2014-1-1.jpg)
2014.07.08 美国专利 US 8,771,806 B2
使用相压等离子体进行疏水或超氢处理的表面涂层方法
![2014-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2014-2-1.jpg)
2014.08.00 日本专利第599420号
均匀的相压等离子体发生器
2013年
![2013-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-1-1-1.jpg)
2013.02.12 美国专利 US 8,373,088 B2
均匀的相压等离子体发生器
![2013-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-2-1.jpg)
2013.12.06 20130112862号
风险企业确认书
![2013-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-3-1.jpg)
2013.12.12 20071181号
公司附属研究所认可书(材料修订)
2012年
![2012-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-1-1.jpg)
2012.08.25 第10-1061159号专利
利用直接相压等离子体对生物芯片的低温键合方法
![2012-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-2-1.jpg)
2012.09.05 中国专利1039112
使用疏水性或超氢处理的相压等离子体的表面涂层方法
![2012-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-3-1.jpg)
2012.02.28 第41-0227404号
商标登记证 | APP 标志
2011年
![2011-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2011-1-1.jpg)
2011.05.03 登记号码: Q252811
质量管理系统证书 | ISO9001: 2008
![2011-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2011-2-1.jpg)
2011.08.25 第10-1061159号专利
利用直接上压等离子体的生物芯片的低温键合方法
2010年
![2010-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2010-1-1.jpg)
2010.12.01 2010年比赛-193
指定出口有希望的中小企业 | 大气压力等离子体设备
![2010-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2010-2-1.jpg)
2010.01.21 第10-0939278号专利
使用相同方法的导电性聚合物组成和相压等离子体装置的相压等离子体处理方法
2009年
![2009-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2009-1.jpg)
2009.07.10 专利10-0908334
涂层预处理系统和使用相压等离子体的方法
2008年
![2008-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2008-1-1.jpg)
2008.05.08 NO. N8 08 05 66787 001
CE 证书
![2008-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2008-2-1.jpg)
2008.12.01 第10-0872682号专利
均匀的相压等离子体发生器
2007年
![2007-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-1-1.jpg)
2007.09.14 第10-0760551号专利
上压等离子体发生器
![2007-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-2-1.jpg)
2007.11.06 특허 제 10-077578 호
使用疏水性或超氢处理的相压等离子体的表面涂层方法
![2007-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-3-1.jpg)
2007.01.29 第40-0697459号
商标登记卡 | 上压等离子体涂层处理等7件
![2007-4-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-4-1.jpg)
2007.05.21 第41-0148997号
商标登记卡 | 上压等离子体涂层处理等7件