bằng sáng chế và chứng chỉ
2021 năm
![벤쳐기업](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/벤쳐기업.jpg)
2021.04.16 No.2021-11287
thẻ thành viên của Hiệp hội Doanh nghiệp Liên doanh Gyeonggi
2020 năm
![2020-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-1-1.jpg)
2020.04.09 10-2020-0043280
ứng dụng phương pháp mô hình bảng hiển thị sử dụng plasma áp suất khí quyển
![2020-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-2-1.jpg)
2020.04.09 10-2020-0043279
thiết bị làm sạch khô và phương pháp của FMM
![2020-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2020-3-1.jpg)
2020.05.11 No.ESC3721
chứng chỉ hệ thống quản lý môi trường │ ISO1400:2015
2019 năm
![2019-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2019-1-1.jpg)
2019.04.10 No.20071181
Công nhận của Viện Công ty (thay đổi địa điểm)
![2019-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2019-2-1.jpg)
2019.10.08 bằng sáng chế No.10-2032294
máy phát plasma áp suất khí quyển
2018 năm
![2018-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2018-1-1.jpg)
2018.10.12 No. R150601-01515
Kiểm tra các doanh nghiệp vừa và nhỏ đổi mới công nghệ (Inno-Biz)
![2018-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2018-2-1.jpg)
2018.04.30 No.CST253272/1
CE chứng chỉ │ ILP-350S
2017 năm
![2017-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2017-1.jpg)
2017.11.30 No.10-185740 │ bằng sáng chế
máy phát plasma áp suất khí quyển có khả năng hiển thị
2016 năm
![2016-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-3-1-1.jpg)
2016.01.29 No.10-1591863
bằng sáng chế │ phương pháp phẳng bề mặt của chất nền silic đa tinh thể nhiệt độ thấp sử dụng quá trình xử lý plasma áp suất khí quyển
![2016-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-1-1.jpg)
2016.06.01 No.16 Gyeonggi 24
chứng chỉ chỉ xuất khẩu đầy hứa hẹn cho các doanh nghiệp vừa và nhỏ
![2016-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2016-2-1.jpg)
2016.09.28 No.4787599910-1
CE chứng chỉ │ILP-700C
2015 năm
![2015-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2015-1.jpg)
2015.07.13 Số đăng ký: QSC2879
chứng chỉ hệ thống quản lý chất lượng | ISO9001: 2008
2014 năm
![2014-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2014-1-1.jpg)
2014.07.08 bằng sáng chế của Mỹ US 8,771,806 B2
phương pháp phủ bề mặt sử dụng plasma áp suất phòng cho hydrophobic hoặc quá trình siêu hydrophobicity
![2014-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2014-2-1.jpg)
2014.08.00 bằng sáng chế Nhật Bản No.5594820
máy phát plasma áp suất bình thường
2013 năm
![2013-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-1-1-1.jpg)
2013.02.12 bằng sáng chế của Mỹ US 8,373,088 B2
máy phát plasma áp suất bình thường
![2013-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-2-1.jpg)
2013.12.06 No.20130112862
xác nhận kinh doanh mạo hiểm
![2013-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2013-3-1.jpg)
2013.12.12 No. 20071181 호
viện nghiên cứu doanh nghiệp giấy chứng nhận (thay đổi vị trí)
2012 năm
![2012-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-1-1.jpg)
2012.08.25 bằng sáng chế No.10-1061159
phương pháp liên kết nhiệt độ thấp của Biochip sử dụng plasma áp suất trên trực tiếp
![2012-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-2-1.jpg)
2012.09.05 bằng sáng chế Trung Quốc No.1039112
phương pháp phủ bề mặt sử dụng plasma áp suất khí quyển cho hydrophobicity hoặc xử lý nước siêu nhỏ
![2012-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2012-3-1.jpg)
2012.02.28 N0. 41-0227404
đăng ký nhãn hiệu APP logo
2011 năm
![2011-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2011-1-1.jpg)
2011.05.03 số đăng ký: Q252811
chứng chỉ hệ thống quản lý chất lượng | ISO9001: 2008
![2011-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2011-2-1.jpg)
2011.08.25 bằng sáng chế No.10-1061159
phương pháp liên kết nhiệt độ thấp của Biochip sử dụng plasma áp suất khí quyển trực tiếp
2010 năm
![2010-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2010-1-1.jpg)
2010.12.01 N0.2010 Gyeonggi-193
xuất khẩu các doanh nghiệp vừa và nhỏ đầy hứa hẹn | hiết bị plasma áp suất khí quyển
![2010-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2010-2-1.jpg)
2010.01.21 bằng sáng chế N0.10-0939278
phương pháp xử lý plasma áp suất trên của thiết bị plasma áp suất trên và thành phần polymer dẫn điện sử dụng cùng một
2009 năm
![2009-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2009-1.jpg)
2009.07.10 bằng sáng chế N0.10-0908334
hệ thống xử lý trước lớp phủ và phương pháp sử dụng plasma áp suất trên
2008 năm
![2008-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2008-1-1.jpg)
2008.05.08 NO. N8 08 05 66787 001
CE chứng chỉ
![2008-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2008-2-1.jpg)
2008.12.01 bằng sáng chế No.10-0872682
máy phát plasma áp suất bình thường
2007 năm
![2007-1-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-1-1.jpg)
2007.09.14 bằng sáng chế No.10-0760551
máy phát plasma áp suất trên
![2007-2-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-2-1.jpg)
2007.11.06 bằng sáng chế No.10-077578
phương pháp phủ bề mặt sử dụng plasma áp suất khí quyển cho hydrophobicity hoặc xử lý nước siêu nhỏ
![2007-3-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-3-1.jpg)
2007.01.29 No.40-0697459
thẻ đăng ký nhãn hiệu | lớp phủ bằng plasma áp suất trên vv bảy trường hợp
![2007-4-1](https://www.applasma.com/wp-content/uploads/2021/04/2007-4-1.jpg)
2007.05.21 No.41-0148997
thẻ đăng ký nhãn hiệu | quá trình phủ bằng plasma áp suất khí quyển vv bảy trường hợp