等離子體溶液蝕刻

蝕刻工藝
: 電路圖案中只留下所需部分,不必要部分被切除的工序。

A-Si / 多晶硅 / SiO₂ / Si / SiO₂ 選擇性蝕刻 / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi

蝕刻劑

艾青湖

Si3N4 layor on C-wafer

蝕刻劑

腐蝕後

等離子體溶液灰化

阿興工程 :光刻之後,去掉不必要的PR時

蝕刻劑

艾青湖

-丙酮處理後去除未去除的polymer殘留
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛

蝕刻劑

艾青湖

丙酮處理後去除未去除的polymer殘留
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛

演示及產品諮詢

快捷鍵