蝕刻技術 工程
蝕刻 ” 僅留下所需部分，將不必要的部分剪除去了。“其中幹法蝕刻等離子體工藝是將想要用等離子體蝕刻的膜質通過化學、物理反應蝕刻膜質的方法。
等離子體技術
低功率/高速/無粒子/簡單系統
氮化物 蝕刻技術
- 樣本:晶片上的SiNx
- 處理速度:10毫米/秒、40倍、200毫米長
氮化物 蝕刻技術
- 二氧化硅薄膜:5釐米 x 5釐米 x 2000A
阿辛 工程
光刻技術(Photolithography) 之後剝離不需要的PR時
晶圓 阿辛
- 晶片:6英寸
- 技術 : 1 um
- PR 類型 :正(型號:GSR-601)
濾色器/OC層 阿辛
- 樣本:LCD彩色濾光片
- 去除層 : 濾色器 / OC 層