Etching 공정

에칭은 ” 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깍아내는 공정“으로 그 중 건식 식각인 플라즈마 공정은 플라즈마로 식각하고자 하는 막질을 화학적, 물리적 반응으로 막질을 식각하는 방법

APP Plasma Technology

Low power / High Speed / No Particle / Simple system

Nitride Etching
  • Sample: SiNx on Wafer
  • Treatment Speed: 10mm/s, 40 times, 200mm length
Etching Volume: 3000A

Before

After
Nitride Etching
  • Si₃N₄ films: 5cm x 5cm x 2,000A

Bebore

After

Ashing 공정

포토리소그래피(Photolithography)이후 필요 없는 PR을 벗겨낼 때

Wafer Ashing
  • Wafer : 6inch
  • PR thickness : 1um
  • PR 종류 : Positive (Model: GSR-601)

Before

After
Color filter / OC layer Ashing
  • Sample : LCD Color filter
  • Removal layer : Color filter / OC layer

Before

After