エッチング 工程, プロセス.

エッチングは ” 必要な部分だけを残して不要な部分は削る工程“で、そのうち乾式エッチングであるプラズマ工程はプラズマでエッチングしようとする膜質を化学的、物理的反応で膜質をエッチングする方法。

APPプラズマ·テクノロジー

省電力/高速/パーティクルなし/シンプルなシステム

毎日のように エッチング
  • サンプル:SiNx on Wafer
  • 処理速度:10mm/s、40倍、200mm長さ
エッチングボリューム:3000A

その後
毎日のように エッチング
  • Si₃N₄ フィルム:5cmx5cmx2,000A

その後

アッシング 工程, プロセス.

フォトリソグラフィ 今後必要のない PR を剥がすとき

ウェハー アッシング
  • ウェハ:6インチ
  • 技術:1um
  • PR 毛並 : ポジティブ(モデル:GSR-601)

その後
カラーフィルタ/OCレイヤ アッシング
  • サンプル:LCDカラーフィルタ
  • 除去レイヤ:カラーフィルタ/OCレイヤ

その後