プラズマ溶液エッチング
エッチング工程
: 回路のパターンのうち、必要な部分だけを残し、不要な部分は削り取る工程
A-Si / poly-Si / SiO2 / Si/SiO2-selective etching / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi
エッチング戦
エッチングフ
Si3N4 layor on C-wafer
エッチング戦
エッチングフ
プラズマ溶液アッシング
アッシング工程:フォトリソグラフィ以降、不要なPRを剥がすとき
エッチング戦
エッチングフ
-アセトン処理後に除去されていないpolymer残留除去
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛
エッチング戦
エッチングフ
アセトン処理後に除去されていないpolymer残留除去
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛