Plasma Solution Etching
에칭
식각(Etching)공정
: 회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깍아 내는 공정A-Si / poly-Si / SiO2 / Si/SiO2-selective etching / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi
applasma, APP
에칭 전
에칭 후
에칭 전
에칭 후
Si3N4 layor on C-wafer
Plasma Solution Ashing
애싱
애싱( Ashing)공정
: 포토리소그래피(Photolithography)이후 필요없는 PR을 벗겨낼 때
applasma, APP
애싱 전
1분 처리후
-아세톤 처리후 제거안된 polymer 잔류 제거
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛
애싱 전
애싱 후
아세톤 처리후 제거안된 polymer 잔류 제거
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛
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