Plasma Solution Etching
식각(Etching)공정
: 회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깍아 내는 공정
A-Si / poly-Si / SiO2 / Si/SiO2-selective etching / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi
에칭전
에칭후
Si3N4 layor on C-wafer
에칭전
에칭후
Plasma Solution Ashing
애싱(Ashing)공정 :포토리소그래피(Photolithography)이후 필요없는 PR을 벗겨낼 때
에칭전
에칭후
-아세톤 처리후 제거안된 polymer 잔류 제거
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛
에칭전
에칭후
아세톤 처리후 제거안된 polymer 잔류 제거
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛