반도체 | 타겟공정 | ArP 처리공정 | Comment |
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Fab 공정 | 1) EUV Photomask 제조공정중 PR strip 공정 (A사) | 진공플라즈마 PR Strip 공정 대체 | 유기막 제거성능, 잔막제거성능 향상 |
2) EUV Photomask cleaning (제안예정) | Wafer PR 노광후 Photomask 세정공정 | 유기막 제거성능, 잔막제거성능 향상 | |
3) Wafer cleaning (제안예정) | Wet 세정공정 | 유기막 제거 성능, Activation 성능향상 | |
Package 공정 | 1)Wafer direct bonding(S사) | 진공플라즈마 표면처리 공정 대체 | 장점: Activation 성능 향상, ROI 절감 |
반도체applasma2022-01-21T12:29:08+09:00