In khắc giải pháp PlasmaName
quy trình khắc
: Quá trình cắt bỏ những phần cần thiết trong mô hình mạch điện và những phần không cần thiết.
A-Si / poly-Si / SiO2 / Si/SiO2-selective etching / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi
Trận Eching
sau khi Eching (huyện)
Si3N4 layor on C-wafer
Trận Eching
sau khi Eching (huyện)
Chất tạo plasma
quy trình Asing : Sau photorisso Graphics, khi bạn cởi bỏ những phần PR không cần thiết
Trận Eching
sau khi Eching (huyện)
-Loại bỏ phần còn lại của polymer chưa được loại bỏ sau khi xử lý acetone
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛
Trận Eching
sau khi Eching (huyện)
Loại bỏ phần còn lại của polymer chưa được loại bỏ sau khi xử lý acetone
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛